Ray Ven社（レイヴェン）Ray Ven-L

波長
920nm700nm～
メーカー
RayVen

Ray Ven-L

超高速フェムト秒レーザー

RayVen-Lは、2.1 µm帯の高エネルギーフェムト秒レーザーで、次世代の半導体加工、微細構造形成、材料科学研究に革新をもたらします。10 kHz～100 kHzの可変繰り返し周波数、750 fsのパルス幅、最大10 Wの平均出力、1 mJの高エネルギーパルスを実現し、精密かつ高効率な加工が可能です。 このレーザーは、シリコンやゲルマニウムを透過し、ポリマーやガラスに強く吸収される特性を持つため、半導体やバイオチップ製造、精密切断、超高速分光などの研究分野での活用が期待されています。

Ray Ven-L
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Ray Ven-L
英文
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主な特長

1. 高エネルギーパルスと広帯域スペクトル

  • パルスエネルギー：100 µJ～1 mJ → 高エネルギーによる深部加工が可能
  • 波長：2085 nm / 10 nm（-3dB） → 広帯域スペクトルで非線形光学応用に適応
  • パルス幅：750 fs → 変形の少ない精密加工を実現

2. 高いビーム品質と優れた安定性

  • M2<1.2のガウシアンビーム → 高精度な加工と研究向けに最適
  • 出力変動（RMS）：0.35%以下 → 長時間の安定運用を保証
  • 誤調整不要（Misalignment-Free）設計 → 高い耐久性と使いやすさ

3. 優れた環境耐性と長期安定動作

  • 水冷式による高い熱安定性
  • 動作環境：15～28℃、湿度35～70%で安定出力

主な応用分野

1. 半導体産業

RayVen-Lの2 µm波長は、シリコンやゲルマニウムを透過し、ウェハ加工、シリコン接合、穴あけ、切断といった半導体製造工程に新たな可能性を提供します。

2. 微細構造形成（ポリマー加工・ラボオンチップ）

ポリマー材料に対する高い吸収率を活かし、マイクロ流体デバイスやラボオンチップの製造に適用可能です。さらに、ガラスの微細加工にも利用できます。

3. 高精度材料加工

  • スクライビング（Scribing） → シリコンウェハの精密加工
  • クレービング（Cleaving） → 350 µm厚のシリコンを高品質にカット
  • ボリューム内部改質（In-volume modifications） → ガラス内部の精密加工
  • ポリマー加工（Machining of polymers） → 透明材料PMMAの微細なライン加工

仕様

  • パルスエネルギー（Pulse energy）： 0.1 mJ – 100 µJ
  • 繰り返し周波数（Repetition rate）： 10 kHz – 100 kHz
  • 平均出力（Average power）： 10 W
  • パルス幅（Pulse duration）： 750 fs
  • ビーム品質（Beam quality）： TEM00,M2
  • ビーム高さ（Beam height）： 60 mm
  • サイズ（レーザーヘッド）（Size (laser head)）： 420 × 297 × 92 mm
  • 誤調整なし（Misalignment-free）
  • 水冷式（Water-cooled）

パルス幅とスペクトル特性

・滑らかなスペクトルを持ち、ほぼ変換限界に近いパルス幅を実現

ビーム品質と出力安定性

・回折限界に近いビーム品質と高い出力安定性を実現

材料加工

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