LABS electronics社 半導体レーザー DLnSecシリーズ（高速変調）
DL nSec シリーズ
サブナノ秒のパルス幅、デジタル変調可能
DLnsec半導体レーザーは、最先端の技術で、オンデマンドなナノ秒パルスを提供致します。
DLnsec レーザーのように、高精度な短パルスを提供できるレーザーは市販の装置としては多くありません。他社のほとんどのレーザーは、共振回路を用いているため、パルス幅やパルスの繰り返し周波数が固定されてしまうか、またはスローな回路を用い、パルス幅が数十ナノ秒程度で限られた繰り返し周波数になるか、限られた帯域幅のパルスしか生成できません。任意のパルス幅や高繰り返し周波数を得る手段として、レーザーの選択肢としては、外部音響光学変調器を用いた周波数逓倍DPSSレーザーのようなCWレーザー光源が利用されることが多いです。しかしながら、このようなシステムは、装置が煩雑、価格が高い、頻繁な光軸調整が必要であるというように、欠点が多くあります。また、これらのレーザーのセットアップを適切に行い、その性能を維持していても、通常、得られるon / offの消光比は60dB未満に制限されてしまいます。
DLnsecレーザーは、このような課題に応えたコンパクトな半導体レーザーです。
幅広い波長領域に対応、サブナノ秒での立ち上がり/立ち下がり時間、選択可能な出力範囲、ファイバー出力対応、自由空間出力対応など、各種用途に応じたセットアップが可能です。
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主な特長
- コンパクト 75ｘ50ｘ62mm
- 高速なライズタイム、フォールタイム <1ns
- パルス幅可変 sub-ns 〜 CW
- ウルトラファーストパルス >300ps FWHM
- ON/OFF消光比が高い >60dB
- デジタル変調 バンド幅 >25MHｚ
波長別仕様
仕様
| 波長 | 出力 | 波長 | 出力 | 波長 | 出力 | 波長 | 出力 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 405nm | 30mW | 520nm | 40mW | 633nm | 80ｍW | 637nm | 90mW |
| 638nm | 30mW | 642nm | 60mW | 658nm | 30mW | 670nm | 10mW |
| 705nm | 40mW | 730nm | 40mW | 808nm | 125mW | 852nm | 35mW |
・この他の波長も指定可能
柔軟な取り付け方法
光学テーブル上に設置する際に必要となる設置面積はわずか36cm2だけであり、オプションで、M4やM6のネジ穴を使ってベースプレートに取り付けることもできますし、レーザーの周囲に溝がついており標準のクランプで固定できます。ユーザーの用途に合わせた取付方法に柔軟に対応しているので、既存の光学セットアップに容易に統合することができます。
LABS electronics社 半導体レーザー DLnSecシリーズ（高速変調）のテクニカルノート
アプリケーション
- 量子技術
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